项目总结报告怎么写，工程项目总结报告怎么写？

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项目前后修改设计共花了二十来天，涉及的几个点做下记录，温故知新。

一、项目简介

二、模块电源设计；

三、RF射频设计；

四、百兆网设计；

五、两片DDR3设计

六、PCIE 5G设计；

1、项目简介

项目原始图稿如下图，关键信号由RF射频、百兆网、两片DDR3、PCIE 5G模块，以及OPA信号采集，数字控制，USB转串口以及一些控制信号接口等低速信号。

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项目原始稿

设计完成稿如下：

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项目完成稿

2、模块电源设计

双DCDC电源LTM4644Y设计，输入都是12V，一路输出3.3V、2.5V、1.5V、1.2V四路电源；另一路输出1.8V和1.0V。

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其中一路LTM4644Y电源SCH

各电源的电流输出以A为计，为确保电流电压的稳定，电容都用了大封装，模块电源采用周围包地的方法。

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PCB设计

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PCB设计

3、RF射频设计

射频单端50Ω阻抗设计，加粗隔层参考，可以根据介质线宽和介质厚数来决定参考哪一层，一般表层参考第三层（ART03），如果线宽很粗，可以往后参考，参考层的上方铜挖空。

差分100Ω阻抗设计，同理加粗处理。

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RF射频SCH

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RF之PCB设计

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RF之内部处理

4、百兆网设计

以太网到RJ45网口变压器差分等长，对内2MIL，对间尽量等长，网口从差分焊盘处所有层挖空，如果连着高压隔离电容到PGND，则用2MM的线分割。

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以太网到网口变压器

以太网的RX和TX的6根信号线分开等长，误差在+-100MIL。

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以太网芯片RX和TX

5、两片DD3设计

DDR系列的也写过几篇，在此也再次总结下：

1、 根据芯片资料选择T点还是远端分支（菊花链），一般多片采用菊花链，具体查芯片资料确认；对应端接电阻按芯片布局放置。

2、布局距MCU1000MIL内，两片间距600MIL内最好，方便布线和等长，同时数据和地址不会太长在1500MIL内；当然这也不是绝对，如果层数少间距可以再适量加大，但也不要太大，尽量控制在2000MIL内。如果层数多间距可以更小。

3、数据线同组同层，3W间距，误差10MIL,差分2MIL。各组在条件允许下，尽量所有组等长，不允许条件下，组间误差在200MIL为宜。

4、地址线等长，3W间距，误差100MIL,差分2MIL。

5、VREF电源20MIL。

6、电源平面完整。

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数据和地址线

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平面和数据线

6、PCIE 5G设计

RX：圆弧设计，差分组内0MIL，组间同层，组间4W，组间等长。

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PCIE RX

TX：圆弧设计，差分组内0MIL，组间同层，组间4W，组间等长。电容串接在MCU端。

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PCIE TX

CLK:圆弧设计，差分组内0MIL，单独等长，与其他信号4W。电容串接在MCU端。

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